Транзистор с малым напряжением открытия

Транзистор с малым напряжением открытия

мосфеты есть с лог управлением — пороговое напряжение 2В и менее. И таких много в разнообразных корпусах
Все это понятно и отлично знаю, просто нужны были транзисторы в корпусе TO-92 и вот нашел:
биполярный STSA1805(SA1805,BTD1805 и т.д.) — макс 50 mV при 100 mA(пока на нем остановился)
из доступных полевых в таком корпусе и с лог.(ТТЛ) управлением — BSN254 у него — 2.8 Ом(типовое значение) * 0.1 А = 280 mV

Может, кто получше посоветует из MOSFET-ов, если не влом. Спасибо.

Забыл отметить, что для BSN254, типовое сопротивление канала 2.8 Ом при напр. затвор-исток 10 вольт(при лог. упр. в типовое 2.4 вольта еще хуже) и токе 300 мА (при меньшем токе также больше сопротивление). Конечно есть еще серия SIxxxx от Vishay и т.п. но они в СМД-исполнении. Надо еще серию IRFLZxxx посмотреть. Просто корпус с ножками нужен и TO-92 желательно.

Все это понятно и отлично знаю, просто нужны были транзисторы в корпусе TO-92 и вот нашел:
биполярный STSA1805(SA1805,BTD1805 и т.д.) — макс 50 mV при 100 mA(пока на нем остановился)
из доступных полевых в таком корпусе и с лог.(ТТЛ) управлением — BSN254 у него — 2.8 Ом(типовое значение) * 0.1 А = 280 mV

Может, кто получше посоветует из MOSFET-ов, если не влом. Спасибо.

Забыл отметить, что для BSN254, типовое сопротивление канала 2.8 Ом при напр. затвор-исток 10 вольт(при лог. упр. в типовое 2.4 вольта еще хуже) и токе 300 мА (при меньшем токе также больше сопротивление). Конечно есть еще серия SIxxxx от Vishay и т.п. но они в СМД-исполнении. Надо еще серию IRFLZxxx посмотреть. Просто корпус с ножками нужен и TO-92 желательно.

Читайте также:  Программа очистки ноутбука от ненужных файлов

Именно из-за корпуса ТО-92 вроде как путнего нет ничего, конечно смотрел не везде. Или планар или ТО220с сопротивлениями менее Ома.
Увы.

Именно из-за корпуса ТО-92 вроде как путнего нет ничего, конечно смотрел не везде. Или планар или ТО220с сопротивлениями менее Ома.
Увы.

Вот еще нашел:
в корпусе TO-262(с тонкими ножками и вроде поместится) к примеру IRL3103L. Вроде пишут, что 16 мОм, но это при токе в 28 А и при управляющем напряжении затвор-исток — 4.5 в, а вот сколько будет при скажем 200-300 мА не пишут в описании. Большие все-таки входные емкости у этих MOSFET-ов(которые HEXFET-ы) — тысячи пикофарад и напрямую к МК опасно все-таки включать(если пробьет его то все), а резистор если ставить, то низкоомнее надо бы с учетом входной емкости, тогда и выход у МК должен быть не хилым. Будет ли, интересно, у полевого выигрыш по сравнению с биполярным при таких токам(частота управления несколько килогерц)? По-моему одного порядка будут падения напряжения. Да и по цене, они вроде дороже биполярных(или не так?). Спасибо.

Вот интересно как у тех, что в корпусе TO-262(HEXFET-ы какие-то типа IRL3103L) параметры при малых токах(200-300мА).

Параметры будут нормальные, но ты обмолвился про килогерцы — напрямую от процессора управлять не пойдет — выход не потянет импульсный ток. В лучшем случае транзистор будет ну очень медленно открываться и откроется, когда надо было давно закрыться 🙂 В худшем порт полетит.
Для быстрого открывания нужен будет драйвер.

Параметры будут нормальные, но ты обмолвился про килогерцы — напрямую от процессора управлять не пойдет — выход не потянет импульсный ток. В лучшем случае транзистор будет ну очень медленно открываться и откроется, когда надо было давно закрыться 🙂 В худшем порт полетит.
Для быстрого открывания нужен будет драйвер.

Читайте также:  Проверка задолженности по налогам юридического лица

Тут главное слово (200-300мА) при таких токах и подборе соответствующего транзистора можно.

Но не в корпусе TO-262(HEXFET-ы какие-то типа IRL3103L)
Тут импульсные токи по затвору в ампер будет нормально.

Токи, напряжения? Ради чего вопрос?
На том же маузере в фильтры выбрать нужный Vgs th — Gate-Sou.
Или в ЧД в поиске фильтр по транзисторам с большой крутизной характеристики.

Но помни, что напряжение трешхолда это еще не полностью открытый транзистор, а утюг.

Транзистор открывается не при каком-то конкретном напряжении на базе или затворе, а при достижении определенного напряжения на P-N переходе, база коллектор или база эмитер, в зависимости от режима включения.
Чтоб правильно рассчитать его нужно смотреть графические характеристики или подби рать экспериментально.

Ссылка на основную публикацию
Adblock detector