Чем отличается оперативная память dimm от sodimm

Чем отличается оперативная память dimm от sodimm

DIMM (англ. Dual In-line Memory Module, двухсторонний модуль памяти) — форм-фактор модулей памяти DRAM. Данный форм-фактор пришёл на смену форм-фактору SIMM. Основным отличием DIMM от предшественника является то, что контакты, расположенные на разных сторонах модуля являются независимыми, в отличие от SIMM, где симметричные контакты, расположенные на разных сторонах модуля, замкнуты между собой и передают одни и те же сигналы. Кроме того, DIMM реализует функцию обнаружения и исправления ошибок в 64 (без контроля чётности) или 72 (с контролем по чётности или коду ECC) линиях передачи данных, в отличие от SIMM c 32 линиями.

Конструктивно представляет собой модуль памяти в виде длинной прямоугольной платы с рядами контактных площадок с обоих сторон вдоль её длинной стороны, устанавливаемую в разъём подключения и фиксируемую по обоим её торцам защёлками. Микросхемы памяти могут быть размещены как с одной, так и с обеих сторон платы.

В отличие от форм-фактора SIMM, используемого для асинхронной памяти FPM и EDO, форм-фактор DIMM предназначен для памяти типа SDRAM. Изготавливались модули рассчитаные на напряжение питания 3,3 В и (реже) 5 В.

Что такое SO-DIMM (SODIMM)?
SODIMM (SO-DIMM) это модуль памяти предназначеный для использования в ноутбуках или в качестве расширения памяти на плате, поэтому отличается уменьшенным габаритом.

Модули SO-DIMM

В дальнейшем, в модули DIMM стали упаковывать память типа DDR, DDR2 и DDR3, DDR4 отличающуюся повышенным быстродействием. Появлению форм-фактора DIMM способствовало появление процессора Pentium, который имел 64-разрядную шину данных. В профессиональных рабочих станциях, таких, как SPARCstation, такой тип памяти использовался с начала 1990-х годов. В компьютерах общего назначения широкий переход на этот тип памяти произошёл в конце 1990-х, примерно во времена процессора Pentium II.

Читайте также:  Коммутатор для ip видеокамер

DIMM (англ. Dual In-line Memory Module, двухсторонний модуль памяти ) — форм-фактор модулей памяти DRAM. Данный форм-фактор пришёл на смену форм-фактору SIMM. Основным отличием DIMM от предшественника является то, что контакты, расположенные на разных сторонах модуля, являются независимыми, в отличие от SIMM, где симметричные контакты, расположенные на разных сторонах модуля, замкнуты между собой и передают одни и те же сигналы. Кроме того, DIMM реализует функцию обнаружения и исправления ошибок в 64 (без контроля чётности) или 72 (с контролем по чётности или коду ECC) линиях передачи данных, в отличие от SIMM c 32 линиями.

Конструктивно представляет собой модуль памяти в виде длинной прямоугольной платы с рядами контактных площадок с обеих сторон вдоль её длинной стороны, устанавливаемую в разъём подключения и фиксируемую по обоим её торцам защёлками. Микросхемы памяти могут быть размещены как с одной, так и с обеих сторон платы.

В отличие от форм-фактора SIMM, используемого для асинхронной памяти FPM и EDO, форм-фактор DIMM предназначен для памяти типа SDRAM. Изготавливались модули, рассчитанные на напряжение питания 3,3 В и (реже) 5 В. Однако впервые в форм-факторе DIMM появились модули с памятью типа FPM, а затем и EDO. Ими комплектовались серверы и брендовые компьютеры.

Модуль SO-DIMM предназначен для использования в ноутбуках или в качестве расширения памяти на плате, поэтому отличается уменьшенным габаритом.

В дальнейшем в модули DIMM стали упаковывать память типа DDR, DDR2, DDR3 и DDR4, отличающуюся повышенным быстродействием.

Появлению форм-фактора DIMM способствовало появление процессора Pentium, который имел 64-разрядную шину данных. В профессиональных рабочих станциях, таких, как SPARCstation, такой тип памяти использовался с начала 1990-х годов. В компьютерах общего назначения широкий переход на этот тип памяти произошёл в конце 1990-х, примерно во времена процессора Pentium II.

Читайте также:  Фотопринтеры epson stylus photo

В форм-факторе DIMM могут изготавливаться массивы памяти, реализующие энергонезависимое хранение, называемые NVDIMM (англ.) русск. . Они могут быть реализованы путём добавления автономного источника питания и функций автообновления к памяти DRAM (NVDIMM-N) или на базе флеш-памяти NAND (NVDIMM-F). Исследуются варианты реализации NVDIMM на базе иных типов памяти (NVDIMM-P) [1] [2] .

Содержание

Разновидности [ править | править код ]

Существуют следующие конструктивно и электрически несовместимые друг с другом типы DIMM, в том числе SO-DIMM (от англ. Small Outline , компактные модули, используемые, в частности, в ноутбуках):

В большинстве магазинов компьютерной электроники клиента, пришедшего за планками оперативной памяти, первым делом просто спросят, куда он собрался их вставлять. Именно область применения – то главное, чем отличается DIMM от SODIMM, а технические характеристики – уже не слишком значимые для обывателя частности.

С этим разобраться несложно: формфактор модулей памяти DIMM предназначен для установки в полноразмерные настольные системы, SODIMM размещается в корпусах ноутбуков, оргтехники и других компактных систем. И первый, и второй тип представляют собой печатную плату с контактами и микрочипами памяти DRAM.

Что мы видим, когда переводим взгляд с системного блока full tower на ноутбук или mini-ITX? Значительную разницу в размерах. Естественно, в маленьких корпусах место для комплектующих ограничено, поэтому их по возможности делают миниатюрными. Основное физическое отличие DIMM от SODIMM – увеличенная длина и, как следствие, больше контактов.

Сравнение

Вот так выглядят планки ОЗУ DIMM и SODIMM в сравнении:

Сразу заметно, насколько короче модули, предназначенные для компактных систем. Формфактор строго регламентируется, поэтому длина всех DIMM, независимо от типа памяти, составляет 133,35 мм, а SODIMM – 67,6 мм.

На модулях памяти обязательно есть прорези-ключи, блокирующие установку в неподходящий интерфейс, а также вырезы для крепления защелок порта. У SODIMM их по одному с каждого торца, расположены они в 20 мм от края с контактами. У DIMM – по два, один на высоте 9,5 мм, другой – 17,3 мм (для актуальной DDR3).

Читайте также:  Телефон не видит домашнюю сеть wifi

У модулей DIMM больше контактов: для DDR3 их количество составляет 240 пин против 204 у SODIMM, для DDR4 – 288 пин и 260 пин соответственно. Остальные технические характеристики планок ОЗУ зависят от конкретной модели: тайминги памяти, частота работы, емкость могут быть практически любыми.

Некоторое время назад ответ на вопрос, в чем разница между DIMM и SODIMM, почти обязательно содержал указание на напряжение питания. Действительно, раньше большинство компактных систем в целях оптимизации энергопотребления подавали к ОЗУ 1,35 В, тогда как полноразмерные модули требовали 1,5 В. Сегодня, несмотря на сохранение этого различия для некоторых моделей, большинство планок DDR3 питаются от 1,5 В независимо от формфактора.

Ссылка на основную публикацию
Adblock detector